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       真空鍍膜機中，基底溫度是一個很重要的操作參數(shù)，它直接影響到薄膜的生長機制、結(jié)構(gòu)和性能。基底溫度的高低決定了吸附原子在基底表面的遷移率，進而影響膜層的結(jié)晶度、附著力以及光學(xué)、電學(xué)等性能。

       較低的基底溫度可能導(dǎo)致膜層結(jié)構(gòu)疏松、內(nèi)應(yīng)力高，降低膜層的附著力和耐腐蝕性。而過高的基底溫度則可能造成膜層再蒸發(fā)或晶粒粗大，影響膜層的細膩度和均勻性。

       為了獲得理想的膜層性能，操作者需要根據(jù)鍍膜材料的特性和所需應(yīng)用，準確控制基底溫度。使用良好的溫控系統(tǒng)，實時監(jiān)測和調(diào)節(jié)基底溫度，是確保鍍膜質(zhì)量的關(guān)鍵。通過優(yōu)化基底溫度，可以顯著提升真空鍍膜機的成膜質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
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